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A band structure scenario for the giant spin-orbit splitting observed at the Bi/Si(111) interface

机译:观测到巨大自旋轨道分裂的能带结构情景   Bi / si(111)界面

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摘要

The Bi/Si(111) (sqrt{3} x sqrt{3})R30 trimer phase offers a prime example ofa giant spin-orbit splitting of the electronic states at the interface with asemiconducting substrate. We have performed a detailed angle-resolvedphotoemission (ARPES) study to clarify the complex topology of the hybridinterface bands. The analysis of the ARPES data, guided by a modeltight-binding calculation, reveals a previously unexplored mechanism at theorigin of the giant spin-orbit splitting, which relies primarily on theunderlying band structure. We anticipate that other similar interfacescharacterized by trimer structures could also exhibit a large effect.
机译:Bi / Si(111)(sqrt {3} x sqrt {3})R30三聚体相提供了一个很好的例子,证明了在与非导电衬底的界面处电子态的巨大自旋轨道分裂。我们已经进行了详细的角度分辨光发射(ARPES)研究,以阐明混合界面带的复杂拓扑。在模型紧密结合计算的指导下对ARPES数据的分析揭示了巨自旋轨道分裂起源的一种先前未曾探索过的机制,该机制主要依赖于潜在的带结构。我们预期,由三聚体结构表征的其他类似界面也可能表现出很大的作用。

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